新華社首爾3月15日電（記者張錦芳）據(jù)《韓國經(jīng)濟新聞》15日報道，韓國科學(xué)家成功開發(fā)出電路線寬只有3納米的半導(dǎo)體技術(shù)，有望使電腦運算速度提高20多倍。

　　報道說，韓國科學(xué)技術(shù)院教授崔養(yǎng)圭等人開發(fā)出的硅半導(dǎo)體電路線寬僅3納米，相當(dāng)于成人頭發(fā)絲直徑的4萬分之一。這種半導(dǎo)體采用新型三維結(jié)構(gòu)，可在常溫下保持良好的半導(dǎo)體功能。
科學(xué)家稱，該技術(shù)可應(yīng)用于制造新一代電腦中央處理器、動態(tài)存儲器、靜態(tài)存儲器和閃存等。采用3納米半導(dǎo)體技術(shù)的中央處理器運算速度可達到100ＧＨｚ，相當(dāng)于現(xiàn)有產(chǎn)品的25倍。 


　　此前，科學(xué)家認(rèn)為利用硅材料只能制造出電路線寬最小5納米的半導(dǎo)體，并因此把硅半導(dǎo)體的最小集成規(guī)格限定為5納米。科學(xué)家預(yù)計，如果要制造小于5納米的半導(dǎo)體，必須采用碳納米管或分子材料。崔養(yǎng)圭等開發(fā)出的3納米硅半導(dǎo)體打破了這一看法。